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一种TFT阵列基板、及其制作方法和制造设备

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摘要

本发明实施例提供一种TFT阵列基板、及其制作方法和制造设备，涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，能够改善TFT的充电特性，提高TFT载流子迁移率，且实现简便、成本较低。方法包括：在基板上形成栅绝缘层；在第一CVD腔体内，对所述栅绝缘层通H

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-11-04

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/77 申请公布日:20120905 申请日:20110318

发明专利申请公布后的驳回
2012-10-31

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/77 申请日:20110318

实质审查的生效
2012-09-05

公开

公开

1. 一种TFT阵列基板、及其制作方法和制造设备 [P] . 中国专利： CN102655115A . 2012-09-05
2. IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板 [P] . 中国专利： CN113433742A . 2021-09-24
3. DOUBLE-SIDED DISPLAYS AND THE TFT ARRAY SUBSTRATES THEREOF, AND MANUFACTURING METHODS OF ARRAY SUBSTRATES [P] . 美国专利： US2018211576A1 . 2018-07-26

机译：双屏显示及其TFT阵列的制作及其阵列基板的制作方法
4. a method of fabricating a array substrate with poly-silicon TFT and a poly-silicon TFT [P] . 韩国专利： KR20020076859A . 2002-10-11

机译：一种用多晶硅TFT和多晶硅TFT制造阵列基板的方法
5. Method For Fabricating TFT Array Substrate [P] . 韩国专利： KR101107691B1 . 2012-01-25

机译： TFT阵列基板的制作方法