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在通孔和刻蚀结构中形成并图案化共形绝缘层的方法

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摘要

使用在掩膜层下形成根切轮廓的刻蚀工艺来形成通孔。通孔涂覆有共形绝缘层，且对结构应用刻蚀工艺以从水平表面去除绝缘层，留下在通孔的竖直侧壁上的绝缘层。通孔的顶部区域在回蚀工艺中受到根切硬掩膜的保护。

公开/公告号CN102844856A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-12-26

原文格式PDF
申请/专利权人 SPTS科技有限公司;
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申请/专利号CN201180019434.0
发明设计人罗伯特·迪蒂奇奥;
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申请日2011-02-24
分类号H01L21/768(20060101);B81B1/00(20060101);H01L21/3065(20060101);H01L21/02(20060101);
代理机构11270 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人武晨燕;张颖玲
地址英国格温特郡
入库时间 2023-12-18 07:51:02

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-11-04

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/768 申请公布日:20121226 申请日:20110224

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-03-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20110224

实质审查的生效
2012-12-26

公开

公开

1. 在通孔和刻蚀结构中形成并图案化共形绝缘层的方法 [P] . 中国专利： CN102844856A . 2012-12-26
2. 刻蚀形成硅通孔的方法与硅通孔刻蚀装置 [P] . 中国专利： CN106298498A . 2017-01-04
3. Method of forming and patterning conformal insulation layer in vias and etched structures [P] . 美国专利： US2011207323A1 . 2011-08-25

机译：在通孔和蚀刻结构中形成和图案化保形绝缘层的方法
4. Pattern forming method and the method of forming conformal dielectric layer in the etched structure and vias [P] . 日本专利： JP2013520830A . 2013-06-06

机译：图案形成方法以及在蚀刻的结构和通孔中形成共形介电层的方法
5. A method of forming a patterned resist mask for etching via holes in an insulating layer [P] . 欧洲知识产权局专利： EP0151408B1 . 1990-05-16

机译：形成用于蚀刻绝缘层中的通孔的图案化抗蚀剂掩模的方法