经过改进的用于双镶嵌工艺的间隙填充方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：形成具有多个第一开口的经图案化的介电层；在经图案化的介电层的上方形成导电衬层，该导电衬层部分地填充第一开口；在第一开口外面的部分导电衬层的上方形成沟槽掩模层，从而形成多个第二开口，第二开口的一个子集形成于第一开口的上方；在第一开口中沉积导电材料以形成多个通孔，以及在第二开口中沉积导电材料以形成多个金属线；以及去除沟槽掩模层。本发明提供经过改进的用于双镶嵌工艺的间隙填充方法。