机译:通过第一个双镶嵌工艺在32-45nm的金属沟槽中进行图案化的紫外线交联间隙填充材料和平面化应用
Electronic Materials Research Laboratories, Nissan Chemical Industries, Ltd., 635 Sasakura, Fuchu-machi, Toyama 939-2792, Japan;
lithography; UV-cured materials; gap fill materials; planarization; dual damascene;
机译:首次过孔金属镶嵌工艺中金属沟槽图案化的间隙填充材料的抗中毒研究
机译:显影剂可溶的间隙填充材料的开发,用于先通过双镶嵌工艺进行平面化
机译:首次填充双镶嵌光刻工艺中用于平坦化基板的间隙填充材料的表征
机译:显影剂可溶的Gap填充材料,用于在Via-first Dual Damascene工艺中对金属沟槽进行构图
机译:通过化学机械平面化对多层金属化结构的铝和铜薄膜进行构图的工艺和机理研究。
机译:用于融合材料的WxTaTiVCr高熵合金及其衍生物合金的粉末冶金工艺
机译:退火诱导在聚焦离子束中的残余捕获电荷的耗散处理用于装置应用的宽带隙材料。
机译:金属和陶瓷材料研究任务订单0003:空军应用的金属材料,加工和性能开发。