在制造集成电路过程中用于使非保形层平面化的方法

摘要

本发明涉及一种在制造集成电路过程中用于使非保形层平面化的方法。从形成于复杂图形之上的非保形层形成一基本上平面的表面，它包括带有窄间隙的窄图形和带有宽间隙的宽图形。在非保形层上沉积一保形层。该表面然后被抛光，以暴露宽图形上的非保形层。然后，用对非保形层具有选择性的蚀刻基本除去宽图形之上的非保形层。然后，除去保形层，暴露非保形层。和以前相比，现在的非保形层的厚度更加均匀。这就使抛光可以形成一平表面，其宽间隙内的表面凹隔减少了。