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修复具有漏电流问题的半导体结构的方法

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摘要

本发明公开了一种修复具有漏电流问题的半导体结构的方法。此方法包括借由施加来自电性测试装置的测试电压而发现一半导体结构具有漏电流问题，以及，对此半导体结构施加一强制电压以使位于二个导电元件间的一悬丝或悬桥熔融或氧化。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-10-29

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/768 申请公布日:20121114 申请日:20110725

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-01-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20110725

实质审查的生效
2012-11-14

公开

公开

1. 修复具有漏电流问题的半导体结构的方法 [P] . 中国专利： CN102779779A . 2012-11-14
2. 半导体元件用外延基板、肖特基接合结构以及肖特基接合结构的漏电流抑制方法 [P] . 中国专利： CN102024845A . 2011-04-20
3. Method for repairing a semiconductor structure having a current-leakage issue [P] . 美国专利： US2012288968A1 . 2012-11-15

机译：修复具有漏电流问题的半导体结构的方法
4. SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH HAS A DUMMY CELL BIT LINE STRUCTURE BLOCKING A LEAKAGE CURRENT WHICH IS APPLIED TO A CELL ARRAY, CAPABLE OF PREVENTING DYNAMIC REFRESH FAULT, AND A FORMING METHOD THEREOF [P] . 韩国专利： KR20100071211A . 2010-06-29

机译：具有虚拟细胞位线结构的半导体器件，该结构阻止了应用于电池阵列，能够防止动态刷新故障的泄漏电流及其形成方法
5. A semiconductor integrated circuit device having a memory cell having a structure effective for suppressing leakage current, and a manufacturing method thereof [P] . 韩国专利： KR920020729A . 1992-11-21

机译：具有具有有效抑制漏电流的结构的存储单元的半导体集成电路装置及其制造方法