基于硅基深刻蚀工艺的三维MEMS超级电容器制造方法

摘要

本发明涉及一种基于硅基深刻蚀工艺的三维MEMS超级电容器制造方法。该超级电容器具有梳齿状插指结构，具体加工流程为：首先在硅片基底上，利用深反应离子刻蚀技术形成高深宽比的三维硅结构；而后在三维硅结构上沉积金属层集流体；然后在集流体上电化学聚合导电聚合物作为超级电容器活性电极材料；最后在三维结构空隙填充并在所有活性电极材料表面覆盖一层固体电解质。此超级电容器由于具有三维结构，有效的增加了电极的表面积，因此相对于平板结构大大提高了能量密度和功率密度。此外，固体电解质的使用提高了其安全性能。