首页> 中国专利> 一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的电子束制备法

一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的电子束制备法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的制备方法，在真空条件下，将CdS粉末通电加热后采用升华的方式蒸发沉积到衬底上形成CdS薄膜，具体步骤为：选择玻璃、不锈钢金属箔或硅片作为衬底，将其放入50～100℃含有表面活性剂的水溶液中处理2h后，再放入丙酮中超声5～20min，用去离子水中超声10～30min，氮气吹干；将纯度为99.99％的CdS粉末放入蒸发舟或坩埚内并固定于电子束热蒸发设备上，将反应室抽真空至10

著录项

公开/公告号CN102703860A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-10-03

原文格式PDF
申请/专利权人上海理工大学;
展开▼

申请/专利号CN201210206615.0
发明设计人门传玲;曹敏;朱德明;曹军;邓闯;张华;
展开▼

申请日2012-06-21
分类号
代理机构上海东创专利代理事务所(普通合伙);
代理人宁芝华
地址 200093 上海市杨浦区军工路516号
入库时间 2023-12-18 06:42:37

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-06-11

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/06 申请公布日:20121003 申请日:20120621

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-11-28

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/06 申请日:20120621

实质审查的生效
2012-10-03

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的电子束制备法 [P] . 中国专利： CN102703860A . 2012-10-03
2. 基于CIGS太阳能电池吸收层的表面修饰及复合缓冲层的太阳能电池制备方法 [P] . 中国专利： CN104078521A . 2014-10-01
3. COMPOSITION FOR FORMING PASSIVATION LAYER SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH PASSIVATION LAYER METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH PASSIVATION LAYER SOLAR CELL ELEMENT METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT AND SOLAR CELL [P] . 韩国专利： KR20170026538A . 2017-03-08

机译：用钝化层法形成钝化层半导体基质的组合物用钝化层法制备钝化层太阳能电池组分的方法制造太阳能电池单元和太阳能电池
4. A process for the preparation of wide bandgap hydrogenated amorphous silicon buffer layer for application in amorphous silicon solar cells [P] . IN183811B . 2000-04-29

机译：一种用于非晶硅太阳能电池的宽带隙氢化非晶硅缓冲层的制备方法
5. Composition for reducing work function of metal oxide-based electron-collection buffer layer, inverted organic solar cell using the same, and preparation method of the inverted organic solar cell [P] . KR102287878B1 . 2021-08-10

机译：用于减少金属氧化物基电子收集缓冲层，倒有机太阳能电池的作用作用的组合物，以及倒有机太阳能电池的制备方法