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使用外围四氯化硅减少硅在反应器壁上的沉积的方法

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摘要

本发明公开了流化床反应器系统和分配器以及用于由可热分解的硅化合物例如三氯硅烷生产多晶硅的方法。该方法通常包括在多晶硅生产过程中通过使用四卤化硅还原反应器壁上的硅沉积物。

公开/公告号CN102686307A

专利类型发明专利
公开/公告日2012-09-19

原文格式PDF
申请/专利权人 MEMC电子材料有限公司;
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申请/专利号CN201080060001.5
发明设计人 H·F·厄尔克;
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申请日2010-12-23
分类号B01J8/02;B01J8/18;B01J8/24;C01B33/03;C01B33/107;F23C10/20;F23D14/22;F27B15/10;
代理机构北京市中咨律师事务所;
代理人彭立兵
地址美国密苏里州
入库时间 2023-12-18 06:33:08

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-02-11

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B01J8/02 申请公布日:20120919 申请日:20101223

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-11-14

实质审查的生效 IPC(主分类):B01J8/02 申请日:20101223

实质审查的生效
2012-09-19

公开

公开

1. 使用外围四氯化硅减少硅在反应器壁上的沉积的方法 [P] . 中国专利： CN102686307A . 2012-09-19
2. 流化床反应器系统及减少硅沉积在反应器壁上的方法 [P] . 中国专利： CN102083522A . 2011-06-01
3. "methods for reducing the deposition of silicon on reactor walls using peripheral silicon tetrachloride" [P] . IN2012DN05176A . 2015-10-23

机译： “使用外围四氯化硅减少反应器壁上硅沉积的方法”
4. A method for reducing silicon deposition on the walls of the reactor using silicon tetrachloride on the periphery [P] . 俄罗斯专利： RU2012132435A . 2014-02-10

机译：一种在外围使用四氯化硅减少反应器壁上硅沉积的方法
5. Fremgangsmate for a redusere deponeringen av silisium pa reaktorvegger ved benyttelse av perifert silisiumtetraklorid [P] . NO20120828A1 . 2012-07-17

机译：使用外围四氯化硅减少反应器壁上硅沉积的方法