一种基于纳米球刻蚀技术制备硅纳米柱阵列的方法

摘要

一种基于纳米球刻蚀技术制备硅纳米柱阵列的方法，涉及一种Si纳米结构。将硅片清洗后，利用反应离子刻蚀系统对硅片进行活化处理，获得具有亲水性的硅片表面；在硅衬底上采用旋涂法自组装单层聚苯乙烯纳米球；利用反应离子刻蚀系统调控单层聚苯乙烯纳米球的直径，得到不同直径的单层聚苯乙烯纳米球；将单层聚苯乙烯纳米球作为掩膜，利用掩模和感应耦合等离子体刻蚀技术进行刻蚀，交替使用SF6和C4F8进行刻蚀和侧壁的保护；用有机试剂去除掩膜及刻蚀过程中所产生的副产物，最终得到硅纳米柱阵列。