基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法

摘要

基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。1）将硅片清洗后，在UHV/CVD系统中，在硅片上生长Ge层；2）将步骤1）制备得到的样品置于氮气氛围中，采用KrF脉冲激光对样品进行辐照，得到直径不同的单层SiGe量子点；3）以步骤2）得到的单层SiGe量子点作为掩膜版，使用高能Ar