一种氮化物半导体激光器

摘要

本发明公开了一种氮化物半导体激光器，从下至上依次包括GaN衬底，n-GaN层，n-AlGaN/GaN超晶格限制层，下InxGa1-xN渐变波导层，InGaN/GaN多量子阱有源区，上InyGa1-yN渐变波导层，p-AlGaN电子阻挡层，p-AlGaN/GaN超晶格限制层，p-GaN接触层；所述下InxGa1-xN渐变波导层中，从下至上In组分含量逐渐增加；所述上InyGa1-yN渐变波导层中，从下至上In组分含量逐渐减少。本发明的氮化物半导体激光器可以有效地减少上InGaN波导层与p-AlGaN电子阻挡层之间的应力，从而避免解理时出现凹凸不平的台阶；同时本发明的氮化物激光器可以增强激光器的光学限制因子，从而有效地提升激光器的性能，取得了显着的效果。