具有环绕堆叠栅鳍式场效应晶体管存储器件及形成方法

摘要

本发明提供了一种环绕堆叠栅鳍式场效应晶体管存储器件和形成方法。其中环绕堆叠栅鳍式场效应晶体管非易失性存储器结构包括：具有第一传导类型的绝缘体上硅衬底，以及从该绝缘体的上表面突出的鳍式有源区。该结构还包括形成在该鳍式有源区上的隧道氧化物层，以及置于该隧道氧化物层和该绝缘体的上表面上的第一栅电极。此外，该结构包括形成在第一栅电极上的氧化物/氮化物/氧化物(ONO)复合层，以及形成在该ONO复合层上并被图案化以限定该ONO复合层的预定区域的第二栅电极。该结构还包括形成在该第二栅电极的侧壁上的电介质间隔物，以及鳍式有源区中形成在第二栅电极的两侧的源/漏区。