超高压BCD工艺中的LDMOS结构

摘要

本发明提供一种超高压BCD工艺中的LDMOS结构，位于P-衬底上的N-外延层中，其包括：第一高压P型体区，位于N-外延层表面；两个高压N+注入区，分别位于第一高压P型体区和漏极位置处；栅氧化层和多晶硅栅极，位于N-外延层上表面，与第一高压P型体区连接；层间介质层，覆盖N-外延层上表面，并在LDMOS结构的源极、漏极和多晶硅栅极位置处留出窗口；源极、漏极和栅极金属场板，分别位于层间介质层上，并且源极金属场板透过源极窗口与第一高压P型体区短接，漏极金属场板透过漏极窗口与漏极连接，栅极金属场板透过栅极窗口与多晶硅栅极连接。本发明不仅为高压器件提供了降低表面电场、提高耐压的场板，而且大幅降低多晶硅栅极的寄生电阻，提高栅极开关频率。