一种全硅化金属栅MOSFET器件的制备方法

摘要

一种全硅化金属栅MOSFET器件的制备方法，包括：在衬底上形成局部氧化隔离或浅槽隔离；淀积栅介质和栅电极材料；淀积硬掩膜；光刻、刻蚀形成栅电极；淀积介质层并刻蚀形成侧墙；源漏注入并退火；形成源漏硅化物；淀积层间介质层；CMP化学机械抛光至多晶硅栅电极露出；涂覆光刻胶形成注入掩蔽层，并光刻露出多晶硅栅电极；栅内注入杂质；去除光刻胶；形成全硅化金属栅电极；金属化。本发明的制备方法克服了栅内掺杂多晶硅栅电极刻蚀存在问题，易于集成，与CMOS工艺兼容性好。