用于改进颗粒间接触部位和填充半导体金属氧化物颗粒层中的间隙的热不稳定性前体化合物

摘要

本发明涉及在基材上制备包含至少一种半导体金属氧化物的层的方法，至少包括以下步骤：(A)将包含至少一种半导体金属氧化物的多孔层施加至基材上，(B)用包含半导体金属氧化物的至少一种前体化合物的溶液处理来自步骤(A)的多孔层，使得所述多孔层的孔至少部分被该溶液填充，和(C)热处理在步骤(B)中获得的层，从而将半导体金属氧化物的所述至少一种前体化合物转化成半导体金属氧化物，其中步骤(B)中所述至少一种半导体金属氧化物的至少一种前体化合物选自相应金属的具有至少3个碳原子的单羧酸、二羧酸或多羧酸的羧酸盐或单羧酸、二羧酸或多羧酸的衍生物，醇盐，氢氧化物，氨基脲，氨基甲酸盐，异羟肟酸盐，异氰酸盐，脒，氨基腙，脲衍生物，羟胺，肟，肟盐，尿烷，氨，胺，膦，铵化合物，硝酸盐，亚硝酸盐或叠氮化物及其混合物。