机译:Al_2O_3 / AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管中引起阈值电压不稳定性的原因导致的无序感应间隙状态
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Kita-13 Nishi-8, Kita-ku, 060-8628 Sapporo, Japan;
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Kita-13 Nishi-8, Kita-ku, 060-8628 Sapporo, Japan;
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Kita-13 Nishi-8, Kita-ku, 060-8628 Sapporo, Japan;
Institute of Physics - CSE, Silesian University of Technology, Konarskiego 22B, 44-100 Gliwice, Poland;
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University, Kita-13 Nishi-8, Kita-ku, 060-8628 Sapporo, Japan;
机译:边界陷阱对氟化物掺杂AlGaN / GaN金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管的阈值电压不稳定性的影响
机译:具有高击穿电压1400 V的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管和兼容金属氧化物半导体的无金工艺
机译:动态电容弥散技术定量表征Al_2O_3 / AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管中的界面陷阱
机译:P-GaN门AlGaN / GaN Hemts中的状态栅极应力诱导阈值稳定性
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:具有极化P(VDF-TrFE)铁电聚合物门控的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:alGaN / GaN金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管的界面态/边界陷阱与阈值电压漂移的相关性