凸点下金属化层(UBM)结构及其形成方法

摘要

本公开提供了一种半导体器件中的凸点下金属化层(UBM)结构，该结构包括铜层、镍层、以及在该铜层和镍层之间的Cu-Ni-Sn金属间化合物(IMC)层。

说明书

交叉引用

本申请要求于2010年10月18日递交的，申请号为61/394,192的美 国临时专利申请的优先权，其结合于此作为参考。

技术领域

本公开涉及半导体器件的制造，并且更具体地，涉及半导体器件中凸 点下金属化层(UBM)结构的制造。

背景技术

现代的集成电路由数百万的有源和/或无源器件(例如晶体管和电容 器)组成。这些器件最初相互隔离，不过随后互连在一起以形成功能性电 路。典型的互连结构包括横向互连(例如金属线(布线))、以及垂直互 连(例如通孔和触点)。互连结构越来越能够决定现代集成电路的性能和 密度的限度。在互连结构的顶部上，接合焊盘形成在各自的芯片的表面上 并且露出来。通过接合焊盘组成电连接以连接芯片和封装衬底或另一个小 片。接合焊盘可以用于引线接合或倒装芯片安装。在典型的凸点工艺中， 互连结构形成在金属化层上，随后形成凸点下金属化层(UBM)和焊接球。 倒装芯片封装利用凸点建立芯片的I/O焊盘和封装的衬底或引线框之间的 电接触。在结构上，凸点实际含有凸点本身和位于凸点和I/O焊盘之间的 UBM。UBM一般包括粘合层、势垒层和浸润层，它们按此顺序布置在I/O 焊盘上。基于所使用的材料，将凸点本身归类为焊接凸点、金凸点、铜柱 凸点和具有混合金属的凸点。通常，用于焊接凸点的材料是所谓的Sn-Pb 共晶焊料。近来，半导体工业已经发展至“无铅(Pb)”封装和无铅器件 连接件技术。这种趋势导致了越来越多地使用无铅焊接凸点和无铅焊接球， 以形成集成电路和封装件的连接。对于环境、工厂的工人以及消费者来说， 使用无铅焊接比使用铅基焊接凸点或焊接球更安全。失效分析表明电迁移 (EM)是与倒装芯片焊点有关的可靠性，通过在UBM和焊接合金之间的 接触面处形成金属间化合物(IMC)开始电迁移。电迁移时，IMC的连续 生成会加速UBM材料溶解成焊接合金。这种快速溶解和迁移会导致开路 失效和界面裂纹，这会降低连接强度和器件使用寿命。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种半导体器件，包括：半导体衬底； 凸点下金属化层(UBM)结构，其覆盖在所述半导体衬底上；以及焊接凸 点，其覆盖在所述UBM结构上并与所述UBM结构电连接；其中所述UBM 结构包括含铜的金属化层、含镍的金属化层、以及在所述含铜的金属化层 和所述含镍的金属化层之间的第一金属间化合物(IMC)层。

优选地，所述第一IMC层是Cu-Ni-Sn IMC层。

优选地，该半导体器件进一步包括在所述UBM结构和所述焊接凸点之 间的第二IMC层。

优选地，所述第二IMC层是Ni-Sn IMC层。

优选地，所述含铜的金属化层形成为覆盖在所述半导体衬底上，所述第 一IMC层形成在所述含铜的金属化层上，并且所述含镍的金属化层形成在 所述第一IMC层上。

优选地，所述UBM结构进一步包括在所述含铜的金属化层下面的底部 金属化层。

优选地，所述底部金属化层包括钛(Ti)和铜(Cu)的至少之一。

优选地，所述焊接凸点是无铅的。

根据本发明的另一方面，提供一种形成半导体器件的方法，所述方法包 括：形成具有开口的掩模层，所述掩模层覆盖在半导体衬底上；在所述掩 模层的开口中形成第一金属化层，其中所述第一金属化层包括铜(Cu)； 覆盖所述第一金属化层形成第二金属化层，其中所述第二金属化层包括锡 (Sn)；覆盖所述第二金属化层形成第三金属化层，其中所述第三金属化 层包括镍(Ni)；覆盖所述第三金属化层形成焊接层；去除所述掩模层； 以及对所述焊接层进行热回流工艺。

优选地，在所述第一金属化层和所述第三金属化层之间形成第一金属间 化合物(IMC)层。

优选地，所述第一IMC层是Cu-Ni-Sn IMC层。

优选地，在所述第三金属化层和所述焊接层之间形成第二金属间化合物 (IMC)层。

优选地，所述第二IMC层是Ni-Sn IMC层。

优选地，该形成半导体器件的方法进一步包括在形成所述第二金属化层 之后并且在形成所述第三金属化层之前，执行热老化工艺。

优选地，在形成所述掩模层之前，进一步包括覆盖所述半导体衬底形成 底部金属化层，其中所述掩模层形成在所述底部金属化层上，以露出部分 所述底部金属化层。

优选地，所述底部金属化层包括钛(Ti)和铜(Cu)的至少之一。

优选地，所述焊接层是无铅的。

根据本发明的再一方面，提供一种形成半导体器件的方法，所述方法包 括：提供半导体衬底，所述衬底包括焊盘区；覆盖所述半导体衬底形成钝 化层，同时露出部分所述焊盘区；形成金属化层，所述金属化层覆盖所述 钝化层和所述焊盘区的露出部分；形成具有开口的掩模层，所述掩模层覆 盖在所述金属化层上；在所述掩模层的开口中形成铜(Cu)层；在所述Cu 层上形成锡(Sn)层；在所述锡(Sn)层上形成镍(Ni)层；在所述Ni 层上形成焊接层；去除所述掩模层以露出部分所述金属化层；去除所述金 属化层的露出部分；以及对所述焊接层进行热回流工艺。

优选地，在所述Cu层和所述Ni层之间形成Cu-Ni-Sn金属间化合物 (IMC)层，并且在所述Ni层和所述焊接层之间形成Ni-Sn金属间化合物 (IMC)层。

优选地，该形成半导体器件的方法进一步包括在形成所述Sn层之后， 执行热老化工艺。

附图说明

图1是根据本公开多个方面的具有UBM的半导体器件的制造方法的流 程图；

图2A-2D是根据图1方法的一个或多个实施例的半导体器件的一部分 在其各制造阶段的横截面图；

图3是根据本公开多个方面的具有UBM结构的半导体器件的制造方法 的流程图；以及

图4A-4D是根据图3方法的一个或多个实施例的半导体器件的一部分 在其各制造阶段的横截面。

具体实施方式

本公开提供了应用于倒装芯片组装、晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)、 三维集成电路(3D-IC)堆叠、和/或任意先进的封装技术领域的半导体器 件中使用的UBM形成工艺。此处描述的实施例涉及形成用于与半导体器 件一起使用的焊接凸点的方法。现在详细说明附图中描述的示例实施例。 尽可能地，附图和说明书中使用的相同的参考标号表示同样或类似的部件。 在附图中，为阐释和方便而放大了形状和厚度。根据本公开，本说明书特 别针对形成装置的一部分的元件或与装置更直接配合的元件。应该理解的 是，未明确示出或描述的元件可以采用本领域普通技术人员熟知的各种形 状。进一步，当一层被称作在另一层上或在衬底“上”时，该层可以直接 在另一层上或在衬底上，或者还可以存在有中间层。在整个说明书的说明 中，“一个实施例”或“实施例”表示相关实施例中描述的特定部件、结 构、或特征包括在至少一个实施例中。因此，在整个说明书中多个地方出 现的用语“在一个实施例中”或“在实施例中”并不必都指同一个实施例。 而且，也可以以任意适当的方式将特定部件、结构、或特征结合在一个或 更多实施例中。应当理解，以下图形并未按比例绘制；相反地，这些图形 仅仅用于说明目的。

图1是根据本公开多个方面的具有UBM结构的半导体器件的制造方 法的流程图。

参见图1，方法100从块102开始，其中在半导体衬底上形成具有开 口的凸点掩模(bump mask)。方法100继续进行到块104，其中，在凸点 掩模的开口中形成第一金属化层。第一金属化层包括铜(Cu)。在一个实 施例中，第一金属化层是铜层。在一个实施例中，第一金属化层是铜合金 层。方法100继续进行到块106，其中，在凸点掩模的开口中的第一金属 化层上形成第二金属化层。第二金属化层包括锡(Sn)。在一个实施例中， 第二金属化层是锡层。在一个实施例中，第二金属化层是锡合金层。方法 100继续进行到块108，该块中，在凸点掩模开口中的第二金属化层上形成 第三金属化层。第三金属化层包括镍(Ni)。在一个实施例中，第三金属 化层是镍层。在一个实施例中，第三金属化层是镍合金层。方法100继续 进行到块110，该块中，在凸点掩模开口中的第三金属化层上形成焊接层。 方法100继续进行到块112，其中从所述半导体衬底上去除凸点掩模。方 法100继续进行下一块114，该块中，在焊接层上执行热回流工艺，以便 形成焊接凸点。在热回流工艺期间，在第一金属化层和第三金属化层之间 形成第一金属间化合物(IMC)层。在一个实施例中，第一IMC层是Cu-Ni-Sn IMC层，例如，(Cu，Ni)₃Sn层或(Cu，Ni)₆Sn₅层。同样地，在第三金属化层 和焊接凸点之间形成第二IMC层。在一个实施例中，第二IMC层是Ni-Sn IMC层，例如，Ni₃Sn₄层。

图2A-2D是根据图1方法的一个或多个实施例的半导体器件的一部分 在其制造各阶段的横截面图。

参见图2A，在半导体器件制造中采用了用于凸点制造的示例半导体衬 底10，并且可以在其中和/或其上形成集成电路。将半导体衬底10限定为 表示包括半导体材料的任意结构，该材料包括但不仅限于，体硅、半导体 晶片、绝缘体上硅(SOI)衬底、或硅锗衬底。也可以使用包括族III、族IV、 和族V元素的其他半导体材料。衬底10可以进一步包括多个隔离部件(未 示出)，例如，浅沟槽隔离(STI)部件或硅的局部氧化(LOCOS)部件。 隔离部件可以限定并隔离各种微电子元件(未示出)。可以在衬底10中形 成的各种微电子元件的示例包括晶体管(例如金属氧化物半导体场效应晶 体管(MOSFET)、互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管、双极结型 晶体管(BJT)、高压晶体管、高频晶体管、p-沟道和/或n-沟道场效应晶 体管(PFET/NFET)、等等)、电阻器、二极管、电容器、感应器、保险 丝、或其他适合的元件。被执行以形成各种微电子元件的各种工艺包括沉 积、蚀刻、注入、光刻、热处理、或其他适合的工艺。微电子元件相互连 接以形成集成电路器件，例如逻辑器件、存储器件(例如静态随机存取存 储器或SARM)、射频(RF)器件、输入/输出(I/O)器件、片上系统(SoC) 器件、及其组合、或其他适合的器件种类。

半导体衬底10进一步包括层叠在集成电路上的层间绝缘层和金属化 结构。金属化结构中的层间绝缘层包括低-k绝缘材料、未掺杂硅酸盐玻璃 (USG)、氮化硅、氮氧化硅、或其他通常使用的材料。低-k绝缘材料的 介电常数(k值)可以大约小于3.9，或大约小于2.8。金属化结构中的金 属线可以由铜或铜合金形成。本领域普通技术人员能够认识到金属化层的 形成细节。图2A描绘了形成在衬底10上的导电区12和钝化层14。导电 区12是形成在层间绝缘层上方的金属化层。导电区12是导电线路的一部 分，并且具有经过平面化工艺(例如化学机械抛光(CMP))处理的暴露 表面(如果必要的话)。用于导电区12的适合材料包括，但不限于，例如 铜、铝、铜合金、或其他移动导电材料，但是导电区还可以由其他材料例 如铜、银、金、镍、钨、前述的合金、和/或前述的多层形成，或包括前述 其他材料。在一个实施例中，导电区12是导电线的焊盘区、终端区、或互 连场地，其可以用于接合工艺以使各自芯片中的集成电路和外部部件连接。 钝化层14形成在衬底10上并且覆盖在导电区12上。利用光刻法和蚀刻工 艺，将钝化层14图案化以形成露出部分导电区12的开口。在一个实施例 中，钝化层14由选自未掺杂硅盐酸玻璃(USG)、氮化硅、氮氧化硅、氧 化硅、及其组合的非有机材料形成。在另一个实施例中，钝化层14由聚合 物层形成，例如环氧树脂、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、聚苯并噁唑 (PBO)、以及类似物，但是还可以使用其他相对较软、通常为有机的、 绝缘材料。

图2A还描绘了钝化层14上的底部金属化层16的形成，该层与导电区 12电连接。底部金属化层16形成在钝化层14和导电区12的露出部分上。 在一个实施例中，底部金属化层16包括扩散势垒层和/或晶种层。形成扩 散势垒层(也称为粘合层)以覆盖钝化层14开口的侧壁和底部。扩散势垒 层可以由钛形成，但其还可以由其他材料例如氮化钛、钽、氮化钽、或类 似物形成。形成方法包括物理气相沉积(PVD)或溅射。晶种层可以是利 用PVD或溅射在扩散势垒层上形成的铜晶种层。晶种层可以由铜合金形 成，该合金包括银、铬、镍、锡、金、或其组合。在一个实施例中，底部 金属化层16包括Ti层和Cu晶种层。扩散势垒层的厚度可以为大约1000 至2000埃，并且晶种层的厚度可以大约等于3000至7000埃，但是它们的 厚度还可以更大或更小。整个说明书中列举的尺寸只是示例，并且随着集 成电路的缩减尺寸而变化。

图2A进一步描绘了设置在底部金属化层16上的凸点掩模层18，该层 具有通过例如曝光、显影或蚀刻被图案化的开口19，以便露出部分底部金 属化层16。凸点掩模层18可以是干膜或感光耐蚀膜。在一个实施例中， 凸点掩模层18是干膜，并且可以由有机材料形成。在可选实施例中，凸点 掩模层18可以由光致抗蚀剂形成。凸点掩模层18的厚度可以大于大约5 微米(μm)，或处于大约10微米至大约120微米之间。

接下来，如图2B所示，在凸点掩模18的开口19中顺利地沉积第一金 属化层20、第二金属化层22、第三金属化层24和焊接层26。第一金属化 层20包括铜。在一个实施例中，第一金属化层20是铜层。在部分实施例 中，第一金属化层20是铜合金层。第一金属化层20的厚度小于10微米。 在部分实施例中，第一金属化层20的厚度约为1～10微米，例如约为4～ 8微米，但是该厚度也可以更大或更小。金属化层20的形成方法包括电镀 法。

第二金属化层22包括锡。在一个实施例中，第二金属化层22是锡层。 在部分实施例中，第二金属化层22是锡合金层。第二金属化层22的厚度 小于第一金属化层20厚度的3/4，但是该厚度可以更大或更小。在部分实 施例中，第二金属化层厚度小于10微米，例如，为1～5微米。第二金属 化层22的形成方法包括电镀或浸没法。

第三金属化层24包括镍。在一个实施例中，第三金属化层24是镍层。 在部分实施例中，第三金属化层24是镍合金层，例如镍-钯-金(NiPdAu)、 镍-金(NiAu)、镍-钯(NiPd)或其他类似合金。第三金属化层24的厚度 小于10微米。在部分实施例中，第三金属化层24的厚度小于5微米，例 如约为0.02-～5微米，但是该厚度可以更大或更小。可以通过化学镀或浸 没金属沉积工艺沉积第三金属化层24。

焊接层26由Sn、SnAg、Sn-Pb、SnAgCu、SnAgZn、SnZn、SnBi-In、 Sn-In、Sn-Au、SnPb、SnCu、SnZnIn、或SnAgSb等等形成。在一个实施 例中，焊接层26是无铅焊材料层。焊接层26的厚度大于30微米。在部分 实施例中，焊接层26厚度约为40-70微米，但是该厚度可以更大或更小。

接下来，如图2C所示，通过蚀刻法(例如湿蚀刻、干蚀刻或类似)去 除凸点掩模层18，然后去除底部金属化层16的未被覆盖部分，以露出下 面的钝化层14。

参见图2D，在焊接层26上执行热回流工艺，形成球形焊接凸点26a。 该实施例的焊接凸点26a的直径可以是不同尺寸，并且可以包括所谓的“微 凸点”。例如，焊接凸点26a的直径可以是65-80微米。焊接凸点26a之 间的间距可以小于150微米，例如130-140微米，并且以后可以更小。为 了微凸点的应用，该间距可以是20-50微米，并且其直径也可以在10-25 微米之间。

在热回流工艺期间，第二金属化层22中的锡(Sn)易于与第三金属化 层24中的镍(Ni)和第一金属化层20中的铜(Cu)发生反应，以在它们 之间形成金属间化合物(IMC)层。在一个实施例中，在IMC形成期间消 耗了第二金属化层22，在第一金属化层20和第三金属化层24之间产生了 Cu-Ni-Sn IMC层28。同样地，第三金属化层24中的镍(Ni)易于与焊接 层26中的锡(Sn)发生反应以在它们之间间形成另一金属间化合物(IMC) 层。在一个实施例中，在IMC形成期间部分地消耗了第三金属化层24，在 焊接凸点26a和第三金属化层24之间产生Ni-Sn IMC层30。例如，IMC 层30是Ni₃Sn₄层30。

这样就完成了焊接凸点26a下面的凸点下金属化层(UBM)结构32。 UBM结构32包括底部金属化层16、第一金属化层20、Cu-Ni-Sn IMC层 28、以及第三金属化层24。在UBM结构32和焊接凸点26a之间形成Ni-Sn IMC层30。Cu-Ni-Sn IMC层28可以作为扩散势垒防止在电迁移测试期间 消耗第一金属化层20中的铜原子。同样地，Cu-Ni-Sn IMC层28可以减慢 或限制UBM溶解以便减缓早期EM失效。

图3是根据本公开的多个方面具有UBM结构的半导体器件的制造方 法的流程图。

参见图3，方法300从块302开始，该块中，在半导体衬底上形成具 有开口的凸点掩模。方法300继续进行到块304，该块中，在凸点掩模的 开口中形成第一金属化层。该第一金属化层包括铜(Cu)。在一个实施例 中，第一金属化层是铜层。在一个实施例中，第一金属化层是铜合金层。 方法300继续进行到块306，该块中，在凸点掩模开口中在第一金属化层 上形成第二金属化层。第二金属化层包括锡(Sn)。在一个实施例中，第 二金属化层是锡层。在一个实施例中，第二金属化层是锡合金层。方法300 继续进行到块316，该块中，执行热老化工艺以将第二金属化层形成为第 一IMC层。在一个实施例中，第一IMC层包括Cu-Sn IMC层，例如Cu₃Sn 层。方法300继续进行到块308，该块中，在凸点掩模开口中在第一IMC 层上形成第三金属化层。第三金属化层包括镍(Ni)。在一个实施例中， 第三金属化层是镍层。在一个实施例中，第三金属化层是镍合金层。方法 300继续进行到块310，该块中，在凸点掩模开口中的第三金属化层上形成 焊接层。方法300继续进行到块312，该块中从半导体衬底上去除凸点掩 模。方法300继续进行到块314，该块中在焊接层上执行热回流工艺以便 形成焊接凸点。在热回流工艺期间，第一金属化层和第三金属化层之间的 第一IMC层进一步形成为第二IMC层。在一个实施例中，第二IMC层是 Cu-Ni-Sn IMC层，例如(Cu，Ni)₃Sn层或(Cu，Ni)₆Sn₅层。同样地，在第三金 属化层和焊接凸点之间形成第三IMC层。在一个实施例中，第三IMC层 是Ni-Sn IMC层，例如Ni₃Sn₄层。

图4A-4D是根据图3方法的一个或多个实施例的半导体器件的一部分 在其多个制造阶段的横截面图。省略了与图2A-2D的描述中相同或类似部 分的说明。

参见图4A，在半导体衬底10上形成导电区12、钝化层14和底部金属 化层16，随后形成凸点掩模18。然后，在凸点掩模18的开口中19中顺利 地沉积第一金属化层20和第二金属化层22。第一金属化层20包括铜。在 一个实施例中，第一金属化层20是铜层。在部分实施例中，第一金属化层 20是铜合金层。第一金属化层20的厚度小于10微米。在部分实施例中， 第一金属化层20的厚度约为1～10微米，例如约为4～8微米，但是该厚度 可以更大或更小。金属化层20的形成方法包括电镀法。

第二金属化层22包括锡。在一个实施例中，第二金属化层22是锡层。 在部分实施例中，第二金属化层22是锡合金层。第二金属化层22的厚度 小于第一金属化层20厚度的3/4，但是其厚度可以更大或更小。在部分实 施例中，第二金属化层的厚度小于约10微米，例如1～5微米的厚度。第二 金属化层22的形成方法包括电镀或浸没工艺。

接下来，如图4B所示，在约190～230℃的温度下对该结构进行热老化 工艺23约30s～5分钟。值得注意的是，用于凸点掩模的大部分干膜都不 能经受这种高温，因此需要额外的光刻工艺或采用新的干膜。在热老化工 艺23期间，在第一金属化层20和第二金属化层22之间发生相互作用和相 互扩散行为，以便第二金属化层22形成为第一IMC层22a。在一个实施例 中，铜原子从第一金属化层20中扩散至第二金属化层22以形成Cu-Sn IMC 层22a。在IMC形成期间，消耗了第二金属化层22。在一个实施例中，Cu-Sn IMC层22a是Cu₃Sn IMC层。

接下来，如图4C所示，在凸点掩模18的开口19中顺利地形成第三金 属化层24和焊接层26。第三金属化层24包括镍。在一个实施例中，第三 金属化层24是镍层。在部分实施例中，第三金属化层24是镍合金层，例 如镍-钯-金(NiPdAu)、镍-金(NiAu)、镍-钯(NiPd)或其他类似合金。 第三金属化层24的厚度小于10微米。在部分实施例中，第三金属化层24 的厚度小于5微米，例如约为0.02～5微米，但是该厚度可以更大或更小。 可以通过化学镀或浸没金属沉积工艺沉积第三金属化层24。焊接层26由 Sn、SnAg、Sn-Pb、SnAgCu、SnAgZn、SnZn、SnBi-In、Sn-In、Sn-Au、 SnPb、SnCu、SnZnIn、或SnAgSb、等等形成。在一个实施例中，焊接层 26是无铅焊材料层。焊接层26的厚度大于30微米。在部分实施例中，焊 接层26厚度约为40～70微米，但是该厚度可以更大或更小。

接下来，如图4D所示，通过蚀刻法(例如湿蚀刻、干蚀刻或类似)去 除凸点掩模层18，然后去除底部金属化层16的未被覆盖部分，以露出下 面的钝化层14。之后，在焊接层26上执行热回流工艺，形成球形焊接凸 点26a。该实施例的焊接凸点26a的直径可以是不同的，并且可以包括所谓 的“微凸点”。

在热回流工艺期间，在第三金属化层24和第一IMC层22a之间发生 相互作用和相互扩散行为，以便第一IMC层22a进一步形成为第二IMC 层22b。在一个实施例中，第三金属化层24中的镍(Ni)易于迁移至第一 IMC层22a中，在第一金属化层20和第三金属化层24之间产生Cu-Ni-Sn IMC层22b。例如，该IMC层22b是(Cu，Ni)₃Sn层或(Cu，Ni)₆Sn₅层。

同样地，第三金属化层24中的镍(Ni)易于与焊接层26中的锡(Sn) 发生反应以在其间形成另一金属间化合物(IMC)层30。在一个实施例中， 在IMC形成期间，消耗了部分第三金属化层24，在焊接凸点26a和第三金 属化层24之间产生Ni-Sn IMC层30。例如，该IMC层30是Ni₃Sn₄层30。

这样就完成了焊接凸点26a下面的凸点下金属化层(UBM)结构34。 UBM结构34包括底部金属化层16、第一金属化层20、Cu-Ni-Sn IMC层 22b、以及第三金属化层24。Ni-Sn IMC层30形成在UBM结构34和焊接 凸点26a之间。Cu-Ni-Sn IMC层22b可以作为扩散势垒，以防止在电迁移 (EM)测试期间消耗第一金属化层20中的铜原子。同样地，Cu-Ni-Sn IMC 层22b可以减慢或限制UBM扩散以便减缓EM早期失效。

在以上的详细描述中，参照本公开的具体示例实施例描述了本公开。 不过，显然的是，可以在不背离本公开的更广泛的精神和范围的情况下， 做各种不同的修改、结构、工艺、以及改变。相应地，本说明书和附图只 应被视为是说明性的而并非是限制性的。应该理解，本公开可以使用各种 其他组合和环境，并且可以在此处所论述的思想范围之内做出改变或修改。