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公开/公告号CN102437258A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-02
原文格式PDF
申请/专利权人 上海蓝光科技有限公司;
申请/专利号CN201110401457.X
发明设计人 袁根如;郝茂盛;李士涛;张楠;朱广敏;陈诚;邢志刚;陈耀;汪洋;李睿;彭昀鹏;
申请日2011-12-06
分类号H01L33/00(20100101);H01L33/22(20100101);
代理机构31219 上海光华专利事务所;
代理人李仪萍
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号
入库时间 2023-12-18 05:04:15
机译: 氮化物生长衬底,特别是用于光电子器件中氮化镓的异质外延沉积,是通过粘合生长衬底和支撑衬底的柔顺薄膜并减薄生长衬底而制成的
机译: 生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译: 用于垂直结构氮化物基半导体发光器件的氮化物基化合物层的制造涉及从氮化镓衬底上的缓冲层到掩模层横向生长氮化物基化合物。
机译:镓辅助图案衬底的脱氧,用于InAs量子点的位置控制生长
机译:通过控制用于GaN成核层生长的反应器压力,可以改善在Si(111)衬底上生长的GaN基发光二极管的性能
机译:用于轴向GaAsSb / InAs异质结构的掩模图案GaAs衬底上纳米线的位置控制VLS生长
机译:用于在蓝宝石衬底生长氮化镓中氮化镓耦合器制造的全息光刻
机译:通过氢化物气相外延形成氮化镓模板和独立衬底,用于III族氮化物器件的同质外延生长。
机译:通过氮化硅衬底上电化学沉积的氧化镓的氮化合成氮化镓纳米结构
机译:在氧化镓衬底上外延生长的氮化镓,用于在可见和电信波长下生成光子对
机译:模拟氮化铝(alN)衬底上生长的氮化铝镓((al)GaN)薄膜的生长