一种使用双大马士革工艺同时形成铜接触孔和第一层金属的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种使用双大马士革工艺同时形成铜接触孔和第一层金属的方法。本发明公开了一种使用双大马士革工艺同时形成铜接触孔和第一层金属的方法，通过双大马士革工艺同时形成接触孔和第一金属层，及使用铜取代钨作为接触孔的材质，同时利用TaN/WSiN或者TaSiN/WSiN材料代替TaN/Ta作为阻挡层的材料，不仅简化了工艺步骤，减小接触孔的接触电阻，以有效改善后道工艺的延迟特性，且有效的增加了阻挡层对于铜扩散的阻挡能力，以避免铜扩散对于半导体器件的损伤。