InAs/GaSb超晶格电子结构的设计方法

摘要

本发明公开了属于平面红外探测器材料的电子结构设计技术领域的一种具有M型势垒层的一种InAs/GaSb超晶格电子结构的设计方法。该InAs/GaSb超晶格电子结构为具有的InAs/GaSb超晶格电子结构的焦平面红外探测器的材料；采用经验紧束缚法，通过非线性最小二乘拟合确定紧束缚参数，开展具有Al(Ga)Sb的M型势垒层InAs/GaSb超晶格电子结构设计，同时研究了Al组分对超晶格光电性能的影响、实现具有AlGaSb势垒层的M型InAs/GaSb超晶格结构设计。并简化分子束外延生长工艺条件，减轻生长过程中引起的成分波动。本发明对于促进锑化物半导体低维异质结构在光电探测和热光伏电池领域的应用有重要作用。