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一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法

摘要

本发明公开了一种减少光刻机对准偏差的光刻图形对准标记方法,提供光刻图形对准标记,光刻图形对准标记位于对准图形中部第一保护带内,对准图形保护带位于切割带内,切割带两侧分别分布有第二保护带和分隔带,光刻图形对准标记为若干相互平行的矩形条,其中,所述若干相互平行的矩形条垂直于所述切割带方向地在所述对准图形中部第一保护带内依次进行排布。与已有技术相比,本发明的有益效果在于:1、在现有光刻机的设计精度下,缩短图形的宽度,把信号扫描方向的其它干扰图形去除掉,这样就减少了干扰信号避免了对准偏差;2、所有的产品都可以使用这个图形。

著录项

  • 公开/公告号CN102445865A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201110349890.3

  • 发明设计人 马兰涛;

    申请日2011-11-08

  • 分类号G03F9/00;G03F7/20;

  • 代理机构上海新天专利代理有限公司;

  • 代理人王敏杰

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2023-12-18 04:59:56

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-10

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G03F9/00 申请公布日:20120509 申请日:20111108

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2012-10-24

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F9/00 申请日:20111108

    实质审查的生效

  • 2012-05-09

    公开

    公开

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