法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-06-10
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/78 申请公布日:20120411 申请日:20110816
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-04-11
公开
公开
机译: 基于硅基衬底,衬底,其制造方法和光电器件
机译: 制造多阱结构的方法,该多阱结构为在其中形成的DRAM器件提供多个衬底偏压
机译: 功率半导体器件功率MOSFET具有在半导体衬底的外围部分中形成的沟道停止结构,并且在衬底的主表面中形成有沟槽