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通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺

摘要

本发明通孔填充牺牲材料的超厚顶层金属双大马士革工艺解决了现有技术中无法在不增加工艺步骤、延长工艺周期的前提下达到控制通孔刻蚀高深宽比和通孔尺寸控制的问题,本发明使用在先制作的通孔中填充易于在沟槽刻蚀过程中灰化去除的牺牲材料的方法,实现超厚顶层金属双大马士革制造工艺,本发明具有有利于工艺控制,减少工艺步骤,缩短生产周期的技术效果。

著录项

  • 公开/公告号CN102420169A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-04-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201110123644.6

  • 发明设计人 李磊;胡友存;陈玉文;姬峰;张亮;

    申请日2011-05-13

  • 分类号H01L21/768;

  • 代理机构上海新天专利代理有限公司;

  • 代理人王敏杰

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2023-12-18 04:55:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-05-07

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/768 申请公布日:20120418 申请日:20110513

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-06-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20110513

    实质审查的生效

  • 2012-04-18

    公开

    公开

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