在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路

摘要

本发明描述了一种在硅中使用结型场效应晶体管构造互补逻辑电路的方法。本发明理想地适用于深亚微米尺寸，尤其适于65nm以下。本发明的基础是在增强模式下工作的互补结型场效应晶体管。JFET的速度-功率性能在亚70纳米尺寸下变得能够与CMOS器件相比。然而，JFET的最大电源电压仍然限制在内建电势(二极管压降)以下。为了满足某些要求对外部电路的接口驱动至更高电压电平的应用，本发明还包括用于在与JFET器件相同的衬底上构造CMOS器件的结构和方法。