公开/公告号CN102339741A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;
申请/专利号CN201010236837.8
发明设计人 邓武锋;
申请日2010-07-22
分类号H01L21/304(20060101);H01L21/31(20060101);
代理机构11018 北京德琦知识产权代理有限公司;
代理人牛峥;王丽琴
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
入库时间 2023-12-18 04:25:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-09-18
授权
授权
2012-12-19
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/304 变更前: 变更后: 登记生效日:20121119 申请日:20100722
专利申请权、专利权的转移
2012-03-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/304 申请日:20100722
实质审查的生效
2012-02-01
公开
公开
机译: 用于例如水的接收,存储,通过和渗漏的沟槽的形成方法高速公路,涉及通过将排水填充结构引入沟槽元件来提供沟槽元件
机译: 用于半导体部件的绝缘结构形成方法,具有将两个样品压入硬掩模中以限定各个沟槽的开口端,并用例如硅酮的绝缘材料填充沟槽。氧化硅或多晶硅
机译: 用于减少沟槽填充腐蚀的硅化学机械抛光蚀刻(CMP)停止件和形成方法