一种晶体硅太阳能电池片扩散层的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片扩散层的刻蚀方法，首先将已经扩散掺杂好的硅片放入管式热氧化炉中，通过化学气相沉积法在硅片的正面沉积上一层二氧化硅薄膜；将硅片放在磷酸与硝酸的混合液中，使硅片与溶液充分反应，其中磷酸与硝酸的摩尔比为磷酸:硝酸=2-5:10；将反应完的硅片放入氢氟酸溶液中，去掉硅片表面的二氧化硅薄膜层，然后用去离子水冲洗干净即可。本发明的刻蚀方法工艺简单，设备要求低，刻蚀过程易监控，生产效率高，能有效减少因刻蚀原因造成的效率低下的电池片的数量。