法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-30
授权
授权
2012-01-04
实质审查的生效 IPC(主分类):B01J23/755 申请日:20110523
实质审查的生效
2011-11-23
公开
公开
机译: 公开了一种高熔点金属硅化物靶,其制备方法,高熔点金属硅化物薄膜以及半导体器件。高熔点金属硅化物靶是高熔点金属硅化物薄膜和高熔点金属硅化物薄膜。
机译: 一种具有平坦的过渡区,具有源/漏区和硅化物层的mos-晶体管的制备方法
机译: 制备由一种或多种过渡金属的硼化物,碳化物,氮化物和/或硅化物组成的燃料电池电极的方法