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等离子体处理装置、磁电阻元件的制造装置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序

摘要

提供一种等离子体处理装置、磁电阻元件的制造装置、磁性薄膜的成膜方法以及成膜控制程序,针对大口径基板,改进磁性薄膜的易磁化轴的偏差。等离子体处理装置(1)具备:基板保持件(11),其支承基板(10);磁体保持件(31),其在基板保持件周围支承磁体(30);阴极部件(50),其在基板上方施加放电电压;旋转机构(20、40),其沿着基板处理面的面方向能够使基板保持件和磁体保持件中的至少一个或者两者旋转;旋转位置检测单元(25、45),其检测基板和磁体的旋转位置;以及控制装置(60),其控制各操作要素的动作,其中,控制装置根据旋转位置检测单元的检测信号对基板保持件或者/以及磁体保持件的旋转机构进行控制以使在磁性薄膜的溅射成膜中使基板处理面的易磁化轴与由磁体施加的磁场之间的相对角度摆动变化。

著录项

  • 公开/公告号CN102239276A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 佳能安内华股份有限公司;

    申请/专利号CN200980148747.9

  • 发明设计人 恒川孝二;

    申请日2009-10-15

  • 分类号C23C14/34(20060101);C23C14/14(20060101);G11B5/31(20060101);G11B5/39(20060101);H01L21/31(20060101);

  • 代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘新宇

  • 地址 日本神奈川县

  • 入库时间 2023-12-18 03:43:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-11-06

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/34 申请公布日:20111109 申请日:20091015

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20091015

    实质审查的生效

  • 2011-11-09

    公开

    公开

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