公开/公告号CN102239276A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 佳能安内华股份有限公司;
申请/专利号CN200980148747.9
发明设计人 恒川孝二;
申请日2009-10-15
分类号C23C14/34(20060101);C23C14/14(20060101);G11B5/31(20060101);G11B5/39(20060101);H01L21/31(20060101);
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址 日本神奈川县
入库时间 2023-12-18 03:43:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-11-06
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/34 申请公布日:20111109 申请日:20091015
发明专利申请公布后的视为撤回
2011-12-21
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/34 申请日:20091015
实质审查的生效
2011-11-09
公开
公开
机译: 等离子体处理装置,磁致电阻器件制造装置,磁性薄膜形成方法和膜形成控制程序
机译: 成膜装置,等离子体处理装置及成膜方法
机译: 等离子体处理装置,以及使用等离子体处理装置的成膜方法和蚀刻方法