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半导体组件制造方法、半导体组件及半导体组件制造设备

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摘要

本发明提供一种半导体组件制造方法，其包括：提供半导体基材(14)；在该半导体基材上形成包括半导体化合物与掺杂添加物(22)的层(20)；以及接着形成射极区域(30)，并且藉由将包括该层的该半导体基材予以退火以吸附杂质(16)。

著录项

公开/公告号CN102197497A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-09-21

原文格式PDF
申请/专利权人应用材料公司;
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申请/专利号CN200980142255.9
发明设计人拉斐尔·费雷·I·托马斯;
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申请日2009-10-13
分类号H01L31/18(20060101);
代理机构11258 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人王安武
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-18 03:17:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-12-04

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20110921 申请日:20091013

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-12-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20091013

实质审查的生效
2011-09-21

公开

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