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用于连续测量硅岛高度的方法和装置

摘要

一种在硅熔化过程中连续测量未熔多晶硅岛的高度和形状的方法。该方法包括将聚焦的亮光投射至硅岛以在硅岛上产生亮点。该方法还包括在熔化过程中通过跟踪亮点电子测定硅岛的高度和形状。

著录项

  • 公开/公告号CN102132124A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MEMC电子材料有限公司;

    申请/专利号CN200980133069.9

  • 申请日2009-08-18

  • 分类号G01B11/24;C30B15/20;

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人杨晓光

  • 地址 美国密苏里州

  • 入库时间 2023-12-18 03:04:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-12-05

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01B11/24 申请公布日:20110720 申请日:20090818

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-08-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B11/24 申请日:20090818

    实质审查的生效

  • 2011-07-20

    公开

    公开

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