公开/公告号CN101946282B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-12-05
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN200980104827.4
申请日2009-02-11
分类号
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人徐金国
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 09:12:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-11
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11B5/84 授权公告日:20121205 终止日期:20190211 申请日:20090211
专利权的终止
2012-12-05
授权
授权
2012-12-05
授权
授权
2012-02-15
著录事项变更 IPC(主分类):G11B5/84 变更前: 变更后: 申请日:20090211
著录事项变更
2012-02-15
著录事项变更 IPC(主分类):G11B 5/84 变更前: 变更后: 申请日:20090211
著录事项变更
2011-03-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G11B5/84 申请日:20090211
实质审查的生效
2011-03-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G11B 5/84 申请日:20090211
实质审查的生效
2011-01-12
公开
公开
2011-01-12
公开
公开
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机译: 等离子体注入的磁畴图案化方法在MRAM制造中的应用
机译: 利用表面等离子体激元效应的纳米图案化方法以及利用该纳米图案化方法制造纳米压印母版和离散轨道磁记录介质的方法
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