法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-16
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20110427 申请日:20101103
发明专利申请公布后的视为撤回
2011-06-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20101103
实质审查的生效
2011-04-27
公开
公开
机译: 异质结光电组件和异质结光电器件
机译: 具有GA2O3 / SIC异质结的NPN / PNP光电晶体管的制备方法
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET