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功率MOS中ESD PN结的轮廓显现溶液及方法

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摘要

本发明公开了一种功率MOS中ESD PN结的轮廓显现溶液及方法，通过使用质量百分比浓度为49％的HF溶液和质量百分比浓度为70％的HNO

1. 功率MOS中ESD PN结的轮廓显现溶液及方法 [P] . 中国专利： CN102192850B . 2012.10.31
2. 用于显现半导体芯片PN结的溶液及显现方法 [P] . 中国专利： CN102751171B . 2014.11.12
3. Self-aligned silicided MOS devices with an extended S/D junction and an ESD protection circuit [P] . 美国专利： US6121090A . 2000-09-19

机译：具有扩展S / D结和ESD保护电路的自对准硅化MOS器件
4. Latch-up free RC-based NMOS ESD power clamp in HV use [P] . 美国专利： US8913359B2 . 2014-12-16

机译： HV中无闩锁的基于RC的NMOS ESD功率钳位
5. SYSTEMS, METHODS, AND APPARATUSES FOR HIGH POWER COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR CMOS ANTENNA SWITCHES USING BODY SWITCHTING AND SUBSTRATE JUNCTION DIODE CONTROLLING IN MULTISTACKING STRUCTURE [P] . 韩国专利： KR100916472B1 . 2009-09-08

机译：多体结构中利用体开关和基极结二极管控制的大功率互补金属氧化物半导体CMOS天线开关的系统，方法和装置