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四晶体管CMOS图像传感器及其设计方法

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本发明提供了一种四晶体管CMOS图像传感器及其设计方法。根据本发明的四晶体管CMOS图像传感器包括光敏二极管、复位晶体管、转移晶体管、源跟随晶体器和行选通开关晶体管，其中所述转移晶体管具有埋入式沟道；并且所述转移晶体管的埋入式沟道的深度可以调节。根据本发明的四晶体管CMOS图像传感器及其设计方法能够有效地消除图像残余现象。

著录项

公开/公告号CN101986431A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-03-16

原文格式PDF
申请/专利权人上海宏力半导体制造有限公司;
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申请/专利号CN201010518406.0
发明设计人刘宪周;韦敏侠;周雪梅;
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申请日2010-10-25
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郑玮
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号
入库时间 2023-12-18 01:48:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-07-20

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L27/146 申请公布日:20110316 申请日:20101025

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-06-11

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L27/146 变更前: 变更后: 登记生效日:20140515 申请日:20101025

专利申请权、专利权的转移
2013-02-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20101025

实质审查的生效
2011-03-16

公开

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1. 四晶体管CMOS图像传感器及其设计方法 [P] . 中国专利： CN101986431A . 2011-03-16
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机译：具有光栅结构和传感晶体管的CMOS图像传感器，其操作方法以及包括该图像传感器的图像处理系统