法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-02-13
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L33/00 申请公布日:20110209 申请日:20100825
发明专利申请公布后的驳回
2011-03-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20100825
实质审查的生效
2011-02-09
公开
公开
机译: 制造III族氮化物膜的方法,用于外延生长的衬底,III族氮化物膜,用于III族氮化物元素的外延生长衬底和III族氮化物元素
机译: 制造III族氮化物膜的方法,用于外延生长的衬底,III族氮化物膜,用于III族氮化物元素的外延生长衬底和III族氮化物元素
机译: III族氮化物半导体生长衬底,III族氮化物半导体外延衬底,III族氮化物半导体器件和III族氮化物半导体自支撑衬底及其制备方法