碗状图形化衬底LED外延生长及发光特性研究

摘要

蓝宝石图形化衬底可以降低GaN外延的穿透位错密度并同时提高GaN基LED光提取效率,因此受到了广泛关注.目前市场上大多数图形化蓝宝石衬底都是通过湿法和干法刻蚀制备出的微米级的凸面形貌,存在工艺繁琐,精准率不高等缺点.本文通过355nm激光器,通过激光打孔的方式,实现了均匀分布的碗状图形化衬底,并通过MOCVD外延生长了波长为495nm的蓝绿光外延结构.参考结构A为未图形化的LED外延结构,结构B,C,D分别为间距为10μm,7.7μm,6.66μm的碗状图形化衬底结构.