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真空蒸发制备ZnS/SnS双层薄膜的方法

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本发明涉及一种真空蒸发法制备太阳能电池ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜元件制备工艺技术领域。本发明使用P半导体SnS为作为吸收层，使用真空蒸发系统，采用连续分舟蒸发ZnS和SnS薄膜获得双层薄膜的方式。调整样品架本发明中，ITO玻璃衬底温度控制为150℃～160℃，真空压力为2~3×10

著录项

公开/公告号CN101962752A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-02-02

原文格式PDF
申请/专利权人上海大学;
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申请/专利号CN201010524867.9
发明设计人史伟民;武文军;聂磊;陈洁利;张小丽;刘晟;马磊;淤凡枫;胡喆;黄璐;孙杰;陈振一;周杰;
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申请日2010-10-29
分类号
代理机构上海上大专利事务所(普通合伙);
代理人顾勇华
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
入库时间 2023-12-18 01:48:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-10-03

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/26 申请公布日:20110202 申请日:20101029

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-03-23

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/26 申请日:20101029

实质审查的生效
2011-02-02

公开

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