公开/公告号CN101819999A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-09-01
原文格式PDF
申请/专利权人 广东中显科技有限公司;
申请/专利号CN201010175524.6
发明设计人 赵淑云;
申请日2010-05-17
分类号H01L29/786;
代理机构北京泛华伟业知识产权代理有限公司;
代理人王勇
地址 528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号
入库时间 2023-12-18 00:44:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-07-17
专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L29/786 放弃生效日:20100901 申请日:20100517
专利权的视为放弃
2010-10-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20100517
实质审查的生效
2010-09-01
公开
公开
机译: 使用两种具有不同晶化速度的金属通过金属诱导的横向晶化来形成非晶半导体薄膜的晶化方法,以及使用相同的方法制造薄膜晶体管的方法
机译: 利用金属诱导的横向结晶化制造多晶硅薄膜晶体管的方法
机译: 利用金属诱导的横向结晶化制造多晶硅薄膜晶体管的方法