Annealing; Substrates; Insulators; Crystallization; Flexible electronics; Optical diffraction; Films;
机译:通过金诱导结晶在绝缘体上低温形成(<= 300摄氏度)取向控制的大晶粒(> = 10微米)富Ge的SiGe
机译:金诱导结晶结合扩散栅构图在绝缘子上的可控位置上大晶粒(> = 10μm)Ge的低温形成
机译:缩回:“具有高载流子迁移率(〜550cm〜2 / V s)的绝缘体上掺Sn的多晶Ge膜的晶核控制低温固相结晶”。物理来吧112,242103(2018)]
机译:在低温下铝诱导结晶在绝缘体上的大谷物Sn-掺杂Ge(100),用于柔性电子器件
机译:适用于大面积电子设备的低温硅薄膜:使用软光刻和通过顺序横向固化进行激光结晶的器件制造。
机译:低温处理的Sn掺杂In2O3薄膜的电性能:微观结构和氧含量的作用以及缺陷调制掺杂的潜力
机译:利用加速金属诱导的结晶在绝缘体上低温(180 C)形成大晶粒的Ge(111)薄膜