用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整系统

摘要

一种用于在单级化学机械平面化(CMP)装置上执行多步骤研磨制程的设备，其使用原位修整操作以不断地从研磨垫的表面清理和抽出碎屑和用过的研磨液。通过在各平面化周期开始，提供清洁的、实际上“新的”研磨垫表面，可使用不同化学性质、形态、温度等的研磨试剂，而不需要去除晶片来改变研磨源或将晶片传送到另外的CMP研磨台。多位置阀可用于控制多种制程流体的引入，所述多种制程流体包括多种不同的研磨浆和修整/冲洗试剂。对于不同制程条件，不同修整材料的使用允许研磨垫的表面改变(例如，中和在先的研磨化学物质，改变垫的表面温度以控制研磨速率，表面活性剂的使用以移去吸引到垫表面的微粒等)。