法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-16
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/18 申请公布日:20100818 申请日:20100322
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-10-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/18 申请日:20100322
实质审查的生效
2010-08-18
公开
公开
机译: 生长立方氮化硼半导体的单晶的方法及其p-n结的形成方法和发光元件
机译: 具有P-N结的立方晶系氮化硼半导体的制造
机译: 立方氮化硼半导体P-N结的制造