形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构

摘要

本发明公开了一种形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构。该方法首先在铜互连结构中制造一个铜导电图形以及至少一个与所述铜导电图形相连的铜通孔栓；刻蚀掉所述铜通孔栓周围的绝缘层及刻蚀停止层，使所述铜通孔栓的上表面、侧面及所述铜导电图形的部分上表面露出；在所得结构表面形成介电层，之后在所得结构的凹陷区域填充保护材料；刻蚀其他铜导电图形所需的通孔和沟槽；然后去除所述保护材料；在除去所述保护材料后的凹陷区域以及刻蚀出的通孔和沟槽中镀铜，得到铜互连MIM电容器结构。本发明与铜互连制程工艺兼容的同时，可在有限的电极面积内，进一步增大电容器容量，简化工艺步骤，节约生产成本。

说明书

技术领域

本发明涉及一种金属-绝缘体-金属(MIM，metal-insulator-metal)电容器结构及其制作工艺，尤其是一种涉及铜互连技术的MIM电容器结构及其制造工艺，属于半导体制造技术领域。

背景技术

随着超大规模集成电路的发展，为了按照摩尔定律的缩放比例创建单元面积增大的电容，与此同时确保各种应用所需的高水平性能(泄漏、击穿或电压线性)，MIM电容器就是关键的元器件。MIM电容器通常是一种三明治结构，其上层金属电极和下层金属电极之间被一层薄绝缘层隔离。在传统的铝互连技术中MIM电容器的金属电极曾采用AlCu合金材料，如今铜已经取代铝成为超大规模集成电路制造中的主流互连技术，因此，铜电极的MIM电容器结构得到了广泛地应用。

在铜互连技术中，采用铜镶嵌工艺，即双大马士革工艺(Dual Damascene)，如图1所示，可包括如下步骤：1)首先沉积一层薄的刻蚀停止层(Si₃N₄)；2)接着在上面沉积一定厚度的绝缘层(SiO₂)；3)然后光刻出微通孔(Via)；4)对通孔进行部分刻蚀；5)之后再光刻出沟槽(Trench)；6)继续刻蚀出完整的通孔和沟槽；7)接着是溅射(PVD)扩散阻挡层(TaN/Ta)和铜种籽层(Seed Layer)。Ta的作用是增强与Cu的黏附性，种籽层是作为电镀时的导电层；8)之后就是铜互连线的电镀工艺；9)最后是退火和化学机械抛光(CMP)，对铜镀层进行平坦化处理和清洗。在制作铜电极MIM电容器结构时需要其工艺与铜互连制程工艺兼容，并且随着集成电路集成度的进一步提高，需要在有限的电极面积内，进一步增大电容器容量。

鉴于此，本发明公开一种形成MIM电容器结构的方法及所形成的结构，该方法与铜互连制程工艺兼容的同时，可增大电容器容量，简化工艺步骤，节约生产成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于提供一种形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构。

为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种形成铜互连MIM电容器结构的方法，包括以下步骤：

步骤一，在第一绝缘层中制造第一铜导电图形；

步骤二，在所述第一绝缘层上形成第一刻蚀停止层，在所述第一刻蚀停止层上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层中制造至少一个第一铜通孔栓使之与所述第一铜导电图形相连；

步骤三，在所述第二绝缘层上形成第二刻蚀停止层，在所述第二刻蚀停止层上形成第三绝缘层；

步骤四，从所述第三绝缘层向下，刻蚀掉所述第一铜通孔栓周围的第二、三绝缘层及第一、二刻蚀停止层材料，使所述第一铜通孔栓的上表面、侧面及所述第一铜导电图形的部分上表面露出，形成凹陷区域；

步骤五，在步骤四所得结构表面形成介电层，之后在覆盖有所述介电层的凹陷区域内填充保护材料；

步骤六，从所述第三绝缘层上的介电层向下刻蚀，形成其他铜导电图形所需的沟槽；

步骤七，去除所述保护材料；

步骤八，在覆盖有所述介电层的凹陷区域内镀铜形成MIM电容器的上电极，同时在步骤六刻蚀出的沟槽中镀铜完成所述其他铜导电图形，得到铜互连MIM电容器结构。

进一步地，步骤二还包括：在所述第二绝缘层中，于所述第一铜通孔栓周围制造第二铜通孔栓，使所述第二铜通孔栓与所述第一铜导电图形相连。其中，所述第二铜通孔栓的侧面，靠近所述第一铜通孔栓的部分，经步骤四的刻蚀后露出。

进一步地，步骤二还包括于所述第二绝缘层中制造第三铜通孔栓，使所述第三铜通孔栓与所述第一铜导电图形相连。

另外，本发明还提供三种采用前述方法制备的MIM电容器结构：

第一种采用前述方法制备的MIM电容器结构，包括所述第一铜通孔栓，所述第一铜通孔栓及与之相连的所述第一铜导电图形作为下电极。

第二种采用前述方法制备的MIM电容器结构，包括：所述第一铜通孔栓、所述第二铜通孔栓；所述第一铜通孔栓、所述第二铜通孔栓以及与它们相连的所述第一铜导电图形作为下电极。

第三种采用前述方法制备的MIM电容器结构，包括：所述第一铜通孔栓、所述第二铜通孔栓、所述第三铜通孔栓；所述第一铜通孔栓、所述第二铜通孔栓、所述第三铜通孔栓以及与它们相连的所述第一铜导电图形作为下电极。

本发明还提供一种采用上述方法制备的带有MIM电容器的铜互连结构。

本发明公开的形成铜互连MIM电容器结构的方法及所形成的结构的有益效果在于：该方法与铜互连制程工艺兼容的同时，可在有限的电极面积内，进一步增大电容器容量，简化工艺步骤，节约生产成本。

附图说明

图1为背景技术中铜镶嵌工艺的示意图；

图2-7为本发明形成铜互连MIM电容器结构的方法示意图：

图2为经步骤一、步骤二和步骤三之后所得结构的剖面示意图；

图3为经步骤四之后得到结构的剖面示意图；

图4为在步骤四所得结构表面形成介电层之后所得结构剖面示意图；

图5为经步骤五之后得到结构的剖面示意图；

图6为经步骤六、七之后得到结构的剖面示意图；

图7为最终得到的带有MIM电容器的铜互连结构的剖面示意图；

图8为实施例一中第一铜通孔栓为棱柱形的MIM电容器结构的立体图；

图9为实施例一中第一铜通孔栓为圆柱形的MIM电容器结构的立体图。

具体实施方式

下面结合附图进一步说明本发明，为了示出的方便附图并未按照比例绘制。

实施例一

请参看图2-7，一种形成铜互连MIM电容器结构的方法，包括以下步骤：

步骤一，在第一绝缘层101中采用铜镶嵌工艺，即双大马士革工艺制造第一铜导电图形400，在所述第一铜导电图形400与所述第一绝缘层101之间制备有扩散阻挡层300将其隔离。

步骤二，在所述第一绝缘层101上形成第一刻蚀停止层201，在所述第一刻蚀停止层201上形成第二绝缘层102，在所述第二绝缘层102中采用铜镶嵌工艺制造至少一个第一铜通孔栓401使之与所述第一铜导电图形400相连；所述第一铜通孔栓401的侧面及底面制备有扩散阻挡层300。

步骤三，在所述第二绝缘层102上形成第二刻蚀停止层202，在所述第二刻蚀停止层202上形成第三绝缘层103。

经这三步后形成如图2所示的结构。所述的第一、第二、第三绝缘层101，102，103均采用低k(介电常数)的介质材料，所述第一、第二刻蚀停止层201，202均采用氮化硅材料。实施例中涉及的扩散阻挡层300采用Ta、TaN、TaSiN等材料。

步骤四，如图3所示，采用选择性干法刻蚀的方法，从所述第三绝缘层103向下，刻蚀掉所述第一铜通孔栓401周围的绝缘层102，103及刻蚀停止层201，202，使所述第一铜通孔栓401的上表面、侧面及所述第一铜导电图形400的部分上表面露出，形成凹陷区域；此时露出的所述第一铜通孔栓401的侧面覆盖有扩散阻挡层300。

步骤五，如图4所示，在步骤四所得结构表面形成介电层500，所述介电层500的材料选自氮化硅、氧化坦、氧化钛、氧化铝等，本实施例优选为氮化硅，厚度优选为15-150nm。之后，如图5所示，在覆盖有所述介电层500的凹陷区域内填充保护材料，所述保护材料为底抗反射涂层(BARC，BottomAnti-reflection Coating)材料，可保护被其覆盖的介电层500免受其他刻蚀等工艺的污染。这里的BARC材料是本领域技术人员常用的材料，可以在市面上购买获得。BARC材料既可以当作光刻胶使用，即可以通过光刻刻出图案，同时还可以利用光刻刻出的图案作为腐蚀掩膜。

步骤六，如图6所示，采用选择性干法刻蚀的方法，从所述第三绝缘层103上的介电层500向下刻蚀，刻蚀出其他铜导电图形700所需的沟槽(或通孔和沟槽)。

步骤七，如图6所示，采用等离子去胶方法去除所述BARC保护材料。该去胶方法是本领域技术人员常用的技术手段，在此不再赘述。

步骤八，如图7所示，除去所述保护材料后，在覆盖有所述介电层500的凹陷区域内电镀铜，从而形成MIM电容器的上电极600；同时在步骤六刻蚀出的沟槽(或通孔和沟槽)中电镀铜，完成所述其他铜导电图形700。制作所述MIM电容器的上电极600时，利用铜镶嵌工艺，首先形成扩散阻挡层300，然后形成铜种籽层并采用电化学电镀(ECP，electrochemical plating)的方法镀铜，其中在所述MIM电容器的上电极600与所述介电层500之间制备的扩散阻挡层300用于将它们隔离。制作所述其他铜导电图形700也采用了铜镶嵌工艺，所述其他铜导电图形700的侧面及底面制备有扩散阻挡层300将其隔离。最后，对所得结构表面进行化学机械抛光(CMP)，对铜镀层进行平坦化处理和清洗，得到带有MIM电容器的铜互连结构。

本方案在铜互连层中制作立体MIM电容器的同时，在BARC材料的保护下，可完成其他铜互连导电图形，有利于简化集成电路的制造工艺，节约生产成本。采用这种方法制备的MIM电容器结构，以所述第一铜通孔栓401及与之相连的所述第一铜导电图形400作为下电极，其立体图如图8、图9所示，其中，第一铜通孔栓可为棱柱或圆柱形。

实施例二

作为本发明的优选方案之一，进行所述步骤二时，还包括：在所述第二绝缘层102中，于所述第一铜通孔栓401周围制造第二铜通孔栓402，使所述第二铜通孔栓402与所述第一铜导电图形400相连，如图2所示。

其中，采用铜镶嵌工艺制造所述第二铜通孔栓402，所述第二铜通孔栓402的侧面及底面制备有扩散阻挡层300将其隔离。所述第二铜通孔栓402的侧面(包括扩散阻挡层)，靠近所述第一铜通孔栓401的部分，经步骤四的刻蚀后露出。之后，按照实施例一中的方法得到带有MIM电容器的铜互连结构。

本实施例中的MIM电容器结构，以所述第一铜通孔栓401、所述第二铜通孔栓402以及与它们相连的所述第一铜导电图形400作为下电极。此时，所述第二铜通孔栓402的部分侧面与介电层500接触，增加了电容面积，增大了MIM电容器的电容量。

实施例三

作为本发明的另一优选方案，进行所述步骤二时，除了如实施例二所述的制造第二铜通孔栓402之外，还包括：在所述第二绝缘层102中采用铜镶嵌工艺制造第三铜通孔栓403，使所述第三铜通孔栓403与所述第一铜导电图形400相连，所述第三铜通孔栓403与所述第二绝缘层102之间制备有扩散阻挡层300将其隔离，如图2所示。之后，按照实施例二中的方法得到带有MIM电容器的铜互连结构。

本实施例中的MIM电容器结构，以所述第一铜通孔栓401、所述第二铜通孔栓402、所述第三铜通孔栓403以及与它们相连的所述第一铜导电图形400作为下电极。所述第三铜通孔栓403可以作为MIM电容器下电极的引出电极。

本发明中涉及的其他技术属于本领域技术人员熟悉的范畴，在此不再赘述。上述实施例仅用以说明而非限制本发明的技术方案。任何不脱离本发明精神和范围的技术方案均应涵盖在本发明的专利申请范围当中。