公开/公告号CN101800286A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-08-11
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN200910077677.4
申请日2009-02-11
分类号H01L51/40(20060101);H01L21/027(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-18 00:35:33
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-02-29
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L51/40 公开日:20100811 申请日:20090211
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-09-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/40 申请日:20090211
实质审查的生效
2010-08-11
公开
公开
机译: 制造顶栅和底接触有机场效应晶体管的构图方法
机译: 顶栅有机场效应晶体管
机译: 用于集成电路生产的有机场效应晶体管包括布置在基板上的栅电极,绝缘层和半导体层