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一种具有非对称电学特性的阻变存储器

摘要

本发明公开了一种具有非对称电学特性的阻变存储器,包括:上电极;下电极;以及包含在上电极和下电极之间的具有阻变特性的阻变层薄膜。本发明的阻变存储器具有非对称的电学特性,在低阻态时具有整流作用,自身能够抑制串扰现象。本发明的阻变存储器具有结构简单,易集成,成本低的优点,有利于本发明的广泛推广和应用。

著录项

  • 公开/公告号CN101783389A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-07-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN200910077524.X

  • 发明设计人 刘明;左青云;龙世兵;

    申请日2009-01-21

  • 分类号H01L45/00;G11C11/56;G11C16/02;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人周国城

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-12-18 00:05:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-27

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L45/00 申请公布日:20100721 申请日:20090121

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-09-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20090121

    实质审查的生效

  • 2010-07-21

    公开

    公开

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