阻变存储器电学特性的研究

摘要

本文以Cu/HfOX/Pt作为RRAM的材料结构，以1T1R为基本操作单元，针对阻变存储器的电学特性展开研究，主要包括典型的I-V特性、均一性、疲劳特性以及保持特性的分析等。