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高强度柱状结晶硅和由该高强度柱状结晶硅构成的等离子体蚀刻装置用部件

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摘要

本发明涉及具有高强度的柱状结晶硅，由晶格间氧浓度在1×10

1. 高强度柱状结晶硅和由该高强度柱状结晶硅构成的等离子体蚀刻装置用部件 [P] . 中国专利： CN101681831B . 2011.05.18
2. 高强度柱状结晶硅和由该高强度柱状结晶硅构成的等离子体蚀刻装置用部件 [P] . 中国专利： CN101681831A . 2010-03-24
3. HIGH-STRENGTH COLUMNAR CRYSTAL SILICON AND PLASMA ETCHING DEVICE PART FORMED BY THE HIGH-STRENGTH COLUMNAR CRYSTAL SILICON [P] . 韩国专利： KR20100048959A . 2010-05-11

机译：高强度柱状晶体硅和以高强度柱状晶体硅构成的等离子体刻蚀装置
4. HIGH-STRENGTH COLUMNAR CRYSTAL SILICON AND PLASMA ETCHING DEVICE PART FORMED BY THE HIGH-STRENGTH COLUMNAR CRYSTAL SILICON [P] . 世界知识产权组织专利： WO2009017221A1 . 2009-02-05

机译：高强度柱状晶体硅和以高强度柱状晶体硅构成的等离子体刻蚀装置
5. HIGH-STRENGTH COLUMNAR CRYSTAL SILICON AND PLASMA ETCHING DEVICE PART FORMED BY THE HIGH-STRENGTH COLUMNAR CRYSTAL SILICON [P] . 日本专利： JP2009051724A . 2009-03-12

机译：高强度柱状晶体硅和以高强度柱状晶体硅构成的等离子体刻蚀装置