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低泄漏功耗SRAM存储单元结构

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摘要

低泄漏功耗SRAM存储单元结构，涉及集成电路技术。本发明包括由MOS管构成的存储单元，其特征在于，在存储单元的公共源极SN连接有电压偏置电路，所述电压偏置电路用于在读写时将SN接地，在待机时提高SN电压。本发明的有益效果是，通过对SRAM结构的优化设计，大幅度的降低了泄漏功耗。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-08-29

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C11/417 公开日:20100331 申请日:20090213

发明专利申请公布后的视为撤回
2010-05-12

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/417 申请日:20090213

实质审查的生效
2010-03-31

公开

公开

1. 低泄漏功耗SRAM存储单元结构 [P] . 中国专利： CN101685668A . 2010-03-31
2. 一种具有高稳定性和低静态功耗的SRAM存储单元电路 [P] . 中国专利： CN108922572A . 2018-11-30
3. High performance, low leakage SRAM device and a method of placing a portion of memory cells of an SRAM device in an active mode [P] . 美国专利： US7327598B2 . 2008-02-05

机译：高性能，低泄漏SRAM器件以及将SRAM器件的一部分存储单元置于活动模式的方法
4. High performance, low leakage SRAM device and a method of placing a portion of memory cells of an SRAM device in an active mode [P] . 美国专利： US2006098474A1 . 2006-05-11

机译：高性能，低泄漏SRAM器件以及将SRAM器件的一部分存储单元置于活动模式的方法
5. Storage cell using low-power / low-threshold CMOS pass transistor with reduced leakage charge [P] . 韩国专利： KR960025727A . 1996-07-20

机译：使用低功耗/低阈值CMOS传输晶体管的存储单元，可减少泄漏电荷