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将去耦电容包含至半导体电路的方法及半导体电路

摘要

本发明提供了一种将去耦电容包含至半导体电路的方法及半导体电路。半导体电路具有至少一逻辑电路,将去耦电容包含至半导体电路的方法包含:将第一去耦电容与第二去耦电容分别设置于逻辑电路周围的第一区域与第二区域中,其中第一去耦电容的栅极氧化层厚度不同于第二去耦电容的栅极氧化层厚度。本发明提供的用于将去耦电容包含至半导体电路的方法及半导体电路,可减轻或消除非预期的电压降,另外也减小了半导体电路的电源噪声。

著录项

  • 公开/公告号CN101677084A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-03-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联发科技股份有限公司;

    申请/专利号CN200910130067.6

  • 申请日2009-04-03

  • 分类号H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/94;H01L29/423;H01L21/02;

  • 代理机构北京万慧达知识产权代理有限公司;

  • 代理人葛强

  • 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号

  • 入库时间 2023-12-17 23:44:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-06-05

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/8234 申请公布日:20100324 申请日:20090403

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2010-05-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8234 申请日:20090403

    实质审查的生效

  • 2010-03-24

    公开

    公开

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