公开/公告号CN101691669A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-04-07
原文格式PDF
申请/专利权人 嘉兴明通光能科技有限公司;
申请/专利号CN200910100178.2
发明设计人 石坚;
申请日2009-12-10
分类号C30B15/04;C30B15/20;
代理机构杭州九洲专利事务所有限公司;
代理人翁霁明
地址 314000 浙江省嘉善县经济开发区之江路100号
入库时间 2023-12-17 23:35:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-08-27
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/04 申请公布日:20100407 申请日:20091210
发明专利申请公布后的驳回
2010-05-26
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/04 申请日:20091210
实质审查的生效
2010-04-07
公开
公开
机译: 掺Si的GaAs单晶硅片及其制备方法,以及掺Si的GaAs单晶硅片由Si掺杂的GaAs单晶硅片制成
机译: 疏散方法能够防止磷掺杂单晶硅生产和磷掺杂单晶硅生产方法的粉尘爆炸
机译: 基于CZ方法的冷却器配备的硅单晶硅单晶硅上拉器件,通过Dashneck方法改善了缺陷的位移,改进了基于CZ方法的硅单晶硅的上拉器件,并提供了基于COLOLE的COOL焊点,并在直径上增加了尺寸